ASML著急原因找到了?港城大突破核心技術,助力國產EUV光刻機

自从芯片限制启动开始,国内的半导体产业发展,就不能再指望美技术体系了,在老美的步步紧逼下,使用了含美技术的国际企业相继沦为“棋子”,就连拥有顶级技术的台积电、ASML也未能幸免。

 

 

老美目前有意升级DUV光刻机的限制,正在想方设法对ASML施压,要求其中断供应中国市场,但这一次ASML并没有妥协,在态度上异常的强硬,并没有放弃布局中国市场,很多人都好奇其中的缘由。

 

 

光刻机作为打破封锁的关键,除了中科院之外,各大高校研究所也进行了深入研究,近期香港城市大学的团队研发出了新型超构透镜,让国产EUV光刻机的诞生又近了一步,这是ASML着急的原因吗?

 

 

光刻机核心技术迎来突破

 

 

在意识到国内芯片困境之后,来自港城大的电机工程系教授蔡定平团队,一直聚焦于相关技术的研发,而此次团队研发的新型真空紫外光超构透镜,可被用于半导体制作、光化学、材料科学等等高端领域。

 

 

名为《真空紫外非线性超构透镜》的论文,已经被发表在了Science Advances 上,其中提出了具有发展前景的新方法,基于介电超构表面的新型真空紫外光子器件将会成为后续研发重心。

 

 

而这款新型的非线性超构透镜,可以同时产生、聚焦45微米直径的真空紫外光,借助二次谐波产生过程,可以将394纳米的紫外光转化成真空紫外光,并且波长降低为194纳米,通过一些列的步骤可实现光斑直径小于 200 万分之 米,聚焦光点的功率密度提升21倍不止。

 

 

而传统的真空紫外器件,有着系统体积大、材料吸收强等等一系列问题,在使用上全新的透镜之后,这些问题得到了一并的解决,但目前在低损耗的光学元件、紧凑型的相干光源上,还需要进行相应的优化。

 

 

而光刻机的制造最主要的三大系统,分别为光学系统、光学镜头和双工作台系统,在港城大突破光学镜头工艺之后,意味着这三大核心技术,国内均已经实现了相应的突破,距离EUV光刻机的国产化又近了一步。

 

 

但短期之内实现国产化还是有点困难,一台EUV光刻机所需要用到的零部件高达10万个,需要高度依赖于全球供应链,即便是ASML也有超过80%的零部件需要来自二十多个国家供应,名副其实的“组装厂”!

 

 

目前国内企业只是聚焦于,被老美垄断的核心技术攻克,但显然光有这些技术是不够的,如果得不到国际供应链的支持,要完成数十万零部件的国产化也不现实,因此3-5年内是难以实现EUV光刻机的国产化。

 

 

ASML开始着急了

 

 

虽然我们暂时还无法制造出EUV光刻机,但核心技术的不断突破,显然已经给ASML造成了很大的压力,毕竟这三大核心技术,其也要依赖于国际供应链,如果连这么难的技术都被国内突破了,那么相对简单的技术只要有足够的时间,实现攻克自然是没有问题的。

 

 

而此次港城大突破的正是光学镜头技术,此前光源技术、双工件台都已经被国内研究所攻克,充分证实了越是限制,越是会加速技术研发进程,因此在老美打算加速进一步限制DUV光刻机时,ASML只能选择反抗。

 

 

从去年开始,ASML就已经嗅到了“危险”的气息,于是乎不断在讨好中国市场,在能力范围之内不断布局中国市场,建立研发中心不断招聘中国员工的同时,也加速了光刻机的出货。

 

 

根据ASML反馈的数据显示,仅在第一季度就向国内出货了21台光刻机,占据了总销量的34%,累计出货了78台,在市场价值上超越了老美,成为全球第三大设备市场。

 

 

虽然出货的都是一些落后的DUV设备,对于ASML而言可能是有点清理库存的意思,但对于国内企业而言,这些设备是至关重要的,在各取所需的合作状态下,也算是实现了共赢的状态。

 

 

但这样的良好合作氛围并没有持续多久,老美又开始横插一脚,要求ASML不得向中企出货DUV光刻机,本身受到原材料断供的影响,在产能上极其有限了,如今却要继续被中断财路,ASML自然是不愿意了。

 

 

而加速出货的目的还有一个,那就是要限制国产光刻机行业的发展,国内的企业自然要有所警惕,如果愿意出口给我们就接收,但不能放弃技术的自主研发,对此你们是怎么看的呢?