如果摩爾定律不S,2028年實現1nm芯片,但之后就是數字游戲了

按照摩尔定律,每18个月芯片的晶圆管密度就会提升1倍,从而性能翻倍。

过去的这几十年间,芯片制程其实差不多是按照摩尔定律走的,直到进入7nm后,基本上就无法按照这个定律走了,比如5nm、3nm的演进就慢了很多,所以很多人称现在摩尔定律已死。

不过近日,IMEC(比利时微电子中心)还是展示了一张最新的芯片制造发展路线图,一路看到了2036年的0.2nm工艺,表示接下来芯片制造还是会按照摩尔定律走下去。

如下图所示的这个演进路径,2022年实现N3也就是3nm,2024年到2nm,2026年到A14也就是1.4nm,2028年到1nm,并且还会演进,到2036年是直接达到0.2nm。

同时在晶圆管技术上,也有技术演进,目前是FinFET,而到2nm时会换成GAAFET,再到0.5nm时,会换成CFET技术。

不过,大家看看我在上图标的绿色框,这里指的是MP金属栅极距,这是真正代表晶体管密度,也就是工艺指标的参数。

它在1nm之前还是在不断变小的,直到1nm工艺时,为16nm,但接下来不管工艺怎么先进,其参数一直处于16-12nm间了。

意思就是晶体管密度其实不再怎么变化了,不管你是1nm,还是0.5nm,或者0.2nm,这个MP金属栅极距基本不变了。

事实上,之前已经有科学家表示,当芯片工艺在1nm之后,量子隧穿效应有可能会让半导体失效,估计这也是为什么1nm后,这个MP金属栅极距不变了,因为不可能再变小了。

这也代表着接下来工艺究竟是多少nm,它与晶体管密度没有太多关系了,更多的还是数字游戏了,晶圆厂商们愿意说多少nm,就是多少nm,与MP金属栅极距不再有对应关系。

事实上,在进入10nm之后,大家就吐槽台积电、三星的所谓nm工艺制程与MP金属栅极距已经不再有对应关系,更多的是数字营销游戏,只有英特尔或是清白的,但到了1nm后,那就大家都要玩数字游戏了,那这样的摩尔定律究竟还有没有意义?